در این مقاله خواص برشی و کششی کامپوزیت پایه اپوکسی تقویت شده با ذرات آلومینا بررسی شده است. به این منظور ابتدا نمونه های کامپوزیتی با درصدهای وزنی متفاوت از ذرات آلومینا (10 تا 50 درصد) تولید گردید. سپس جهت ارزیابی خواص برشی و کششی نمونه های کامپوزیتی از آزمون پانچ برشی و برای بررسی پراکندگی و توزیع ذرات آلومینا، فصل مشترک ذرات/ زمینه و سطح مقطع شکست نمونه ها از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مجهز به آنالیزگر EDS استفاده شد. نتایج آزمون ها نشان داد که افزودن آلومینا تا میزان 30 درصد منجر به توزیع همگن و یکنواخت و استحکام برشی بیشتر کامپوزیت می گردد. اما هنگامی که میزان تقویت کننده بیش از 30 درصد باشد، میزان تجمع ذرات بیشتر شده و به تبع آن استحکام کامپوزیت کاهش می یابد. همچنین تفاوت قابل توجهی بین سطح مقطع شکست اپوکسی خالص و کامپوزیت ها مشاهده شد. برخلاف پلیمر خالص، سطح مقطع شکست کامپوزیت های تقویت شده با آلومینا (تا 30 درصد) ناهموارتر بود، که حکایت از افزایش زبری سطح در اثر انحراف ترک دارد. شکست در کامپوزیت های تقویت شده با درصدهای بالاتر از 30 درصد نیز به علت میزان ترشوندگی کم ذرات آلومینا با رزین اپوکسی در تماس های ذره – ذره اتفاق افتاده است.

تقویت کننده توزیع شده شبه تفاضلی (PDDA) یک روش مناسب برای افزایش پهنای باند در یک تقویت کننده باند پهن می باشد. در این مقاله روش های افزایش بهره PDDA توسط روش های آبشاری و حصول تقویت کننده توزیع شده شبه تفاضلی آبشاری (CPDDA)در طرح های مختلف، با شرط توان و سطح تراشه ثابت، پیشنهاد شده که انتخاب طرح بهینه وابسته به پارامتر gmRo سلول های بهره (PDA) است. جهت بررسی عملکردی و مقایسه طرح ها، مدارات پیشنهادی در تکنولوژی RF_CMOS_ 0. 18µ m طراحی و در نرم افزار کیدنس شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که در این تکنولوژی، برای به دست آوردن پهنای باند 0-40GHzکه نیاز به gmهای پایین ترانزیستورهای سلول بهره PDA است، تقویت کننده با ساختار دو PDDA سه طبقه بهتر از ساختار سه PDDA دو طبقه عمل کرده و با آن می توان به بهره 10dB دست یافت. در این تقویت کننده پارامترهای S11, S22, S12 نیز به ترتیب-12,-10,-16 dB بوده و عدد نویز برابر 4. 6dB و P1dB برابر +3. 5dBm می باشد. این تقویت کننده دارای توان مصرفی 230mW است و سطح تراشه 0. 63mm2 می باشد. مقایسه این تقویت کننده با کارهای انجام شده قبلی، گواه عملکرد و کارایی مطلوب این تقویت کننده در کاربردهای باند پهن می باشد.

1در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده ماتریسی 3×2 با خطوط انتقال مخروطی و مصرف توان پایین در فناوریCMOS nm180 معرفی شده است. در این طرح استفاده از ساختار ماتریسی به جهت داشتن مکانیزم ضرب‏ شوندگی و جمع شوندگی جریان سبب افزایش بهره و مصرف توان پایین گردیده است. در طبقه ورودی برای افزایش پهنای‏ باند و عدم نیاز به استفاده از خازن های اضافی در خط انتقال گیت ورودی و خط انتقال مرکزی از یک سلول بهره متوالی با بهره قابل تنظیم استفاده شده است. همچنین، برای بهبود عدد نویز مقاومت انتهایی خط انتقال گیت ورودی با یک شبکه RL پایان یافته است. تقویت‏کننده توزیع شده پیشنهادی در فناوری nm 180 CMOS شرکت TSMC طراحی و توسط نرم‏ افزار کیدنس شبیه‏ سازی شده است. نتایج شبیه ‏سازی تقویت‏کننده توزیع ‏شده پیشنهادی نشان می دهد که با مصرف توان mW 16.25 از یک منبع تغذیه V 1، دارای بهره توان مستقیم (S21)، dB 12، تلف بازگشتی ورودی (S11) و خروجی (S22) کمتر از dB 10-، متوسط نقطه تقاطع مرتبه سوم ورودی(IIP3) برابر dBm 6.11- و متوسط عدد نویز dB 5.5 در بازه فرکانسی وسیع GHz 1 تا GHz 24 است.

این مقاله روشی را برای تعیین توزیع بهینه اربیوم جهت افزایش بهره تقویت فیبرهای اربیومی تقویت کننده ارائه می کند. توزیع های بهینه اربیوم به دست آمده در این مدل براساس نوع ساختار موجبری فیبر و میزان توان پمپ است . این توزیع های بهینه را برای فیبرهای رایج تک مدی و فیبرهای با پاشندگی انتقال یافته به دست آورده ایم. توزیع های بهینه اربیوم به دست آمده به صورت شبه گاوسی هستند و شبه سازی بهره تقویت برای این دو نوع فیبر نشان می دهد که توزیع های به دست آمده برای فیبرهای رایج تک مدی بهره تقویت را به طور قابل ملاحظه ای افزایش می دهد. نتایج به دست آمده برای تقویت فیبرهای با پاشندگی انتقال یافته با نتایج گزارش شده سایر طراحی ها مطابقت کامل دارد. روش ارائه شده در عین حال که برای اولین بار پیشنهاد می شود، کاملا کلی است و برای هر نوع فیبر تقویت کننده یا موجبر فعال می تواند مورد استفاده قرار گیرد.

فرآیند اصطکاکی-اغتشاشی یکی از فرآیندهای نوین در تولید کامپوزیت های زمینه فلزی می باشد. انتخاب پارامترهای مناسب جهت توزیع یکنواخت ذرات در این فرایند امری حیاتی است. یکی از پارامترهای مهم در این فرایند تعداد پاس فرایند و تغییر جهت دوران ابزار در بین پاس های فرایند می باشد. در این مطالعه به بررسی اثر تعداد پاس و تغییر جهت دوران ابزار بر توزیع ذرات سیلیسیم کاربید در آلومینیوم 6061 پرداخته شده است. آلومینیوم 6061 یکی از آلیاژهای آلومینیوم با قابلیت رسوب سختی است که منیزیم و سیلیسیم عناصر اصلی آن را تشکیل می دهند. ابتدا نمونه هایی با استفاده از یک، دو و چهار پاس فرایند، با و بدون تغییر جهت دوران ابزار در بین پاس های فرایند تولید می شوند. سپس با استفاده از عکس های ماکرو و میکروسکوپی نحوه توزیع ذرات در فلز پایه مورد مطالعه قرار می گیرد. نتایج نشان داد تعداد پاس فرایند و تغییر جهت دوران ابزار، تأثیر چشم گیری در توزیع یکنواخت ذرات دارد.

این مقاله به شرح اصول طراحی و ساخت تقویت کننده ی توان در فرکانس 4. 3GHz که متشکل از 3 ماژول 45W است می پردازد. اجزای این تقویت کننده که شامل تقسیم کننده توان، ترکیب کننده توان و ایزولاتر است، به صورت کامل طراحی شده اند. این تقویت کننده در فرستنده ماهواره های مخابراتی کاربرد دارد. برای طراحی تقویت کننده توان 100 واتی از ترکیب سه ترانزیستور TIM4450-60SL شرکت توشیبا استفاده شده است. به منظور شبیه سازی نیز مدار بایاس درین، گیت، ترکیب کننده توان و تقسم کننده توان مایکرواستریپ، در نرم افزار AWR شبیه سازی شده است. طراحی ساده، تکنولوژی بومی، بازدهی بالا و سهولت ساخت از ویژگی های اصلی این طرح می باشد. در ورودی تقویت کننده از یک ایزولاتور استفاده شده است. بنابراین اگر به هر دلیلی ورودی تقویت کننده باز بماند و یا کابل ورودی به خوبی بسته نشده باشد تقویت کننده به نوسان نخواهد افتاد.